[发明专利]一种新型多孔硅及其制备方法无效
| 申请号： | 201110344679.2 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102400217A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 展长勇;任丁;邹宇;刘波;林黎蔚;黄宁康 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/10;C25F3/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型多孔硅及其制备方法：多孔硅结构为在低掺杂、N型单晶硅片基体内，形成柱形纳米多孔硅并封闭直孔空腔，表面为纳米多孔硅；采用电化学腐蚀的方法，在HF酸和有机溶剂混合溶液中，通过控制混合溶液配比、直流电源的电压和电流制备这种新型多孔硅结构。这种新型多孔硅结构及制备方法，为传感器、自爆芯片、发光器件等与硅基微纳器件的整合提供新的技术途径和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 多孔 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型多孔硅，其特征在于：包括单晶硅（1）、镶嵌在单晶硅（1）中的柱形纳米多孔硅（3）及位于单晶硅（1）上的表面纳米多孔硅（4）；所述柱形纳米多孔硅（3）内壁围成的空腔为直孔（2）。
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