[发明专利]一种晶体硅铸锭炉有效
| 申请号： | 201110346536.5 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102383183A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 戴煜;羊建高;谭兴龙 | 申请（专利权）人： | 湖南顶立科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 410118 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种晶体硅铸锭炉，所述铸锭炉包括：炉体；设置在所述炉体内的坩埚；位于所述坩埚底部下方的坩埚底板，所述坩埚底板上设置有贯穿坩埚底板的多个导流孔；位于所述坩埚底板下方的冷却块，所述冷却块设置有至少一个导流槽；设置于所述冷却块下方的导流管，所述导流槽连通所述导流孔和所述导流管；所述导流管的腔道上端靠近冷却块位置设置有硅液溢流检测丝，所述检测丝连接所述铸锭炉外部的硅液溢流控制装置。本发明所述技术方案可及时检测并处理硅液溢流问题；同时，硅液溢流路径单一、可控制、污染面积小，安全性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 铸锭 | ||
【主权项】：
一种晶体硅铸锭炉，其特征在于，包括：炉体；设置在所述炉体内的坩埚；位于所述坩埚底部下方的坩埚底板，所述坩埚底板上设置有贯穿坩埚底板的多个导流孔；位于所述坩埚底板下方的冷却块，所述冷却块设置有至少一个导流槽；设置于所述冷却块下方的导流管，所述导流槽连通所述导流孔和所述导流管；所述导流管的腔道上端靠近冷却块位置设置有硅液溢流检测丝，所述检测丝连接所述铸锭炉外部的硅液溢流控制装置。
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