[发明专利]一种非感光性聚酰亚胺光刻工艺方法有效
申请号: | 201110348547.7 | 申请日: | 2011-11-07 |
公开(公告)号: | CN103092008A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 郭晓波;程晋广 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G03F7/26 | 分类号: | G03F7/26;G03F7/38;G03F7/40;G03F7/42 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王函 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种非感光性聚酰亚胺光刻工艺方法,包括如下步骤:1)提供一需要制作非感光性聚酰亚胺图形的基片;2)在所述基片上旋涂非感光性聚酰亚胺;3)非感光性聚酰亚胺的多步软烘;4)光刻胶的旋涂和烘烤;5)经曝光、显影获得所需的非感光性聚酰亚胺和光刻胶图形;6)显影后烘烤;7)用光刻胶剥离液剥离去除光刻胶;8)非感光性聚酰亚胺的固化。本发明将传统的非感光性聚酰亚胺工艺中的一步软烘分解成多步软烘,且在显影后增加一步烘烤,不仅成功的解决了非感光性聚酰亚胺的剥落和显影不足这一对相互矛盾的问题,同时也使得非感光性聚酰亚胺的软烘温度能在较大的范围内变动,提高了软烘的工艺窗口,大大减少了工艺控制的难度。 | ||
搜索关键词: | 一种 感光性 聚酰亚胺 光刻 工艺 方法 | ||
【主权项】:
一种非感光性聚酰亚胺光刻工艺方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)提供一需要制作非感光性聚酰亚胺图形的基片;(2)在所述基片上旋涂非感光性聚酰亚胺;(3)非感光性聚酰亚胺的多步软烘;(4)光刻胶的旋涂和烘烤;(5)经曝光、显影获得所需的非感光性聚酰亚胺和光刻胶图形;(6)显影后烘烤;(7)用光刻胶剥离液剥离去除光刻胶;(8)非感光性聚酰亚胺的固化。
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