[发明专利]一种纳米材料-介质-纳米材料结构的电子发射源有效
| 申请号： | 201110348994.2 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102509679A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 郭太良;叶芸;王灵婕;林志贤;张永爱;胡利勤 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350001 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米材料-介质-纳米材料（NIN）结构的电子发射源，其是在有机或无机材质的基板1上设置电子发射源，即依次设有纳米材料电子发射层2、介质传导层3、纳米材料电子透射层4。此电子发射源不仅工艺简单，电子发射效率高，而且电子发射均匀，稳定、可靠，具有调制电压低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 材料 介质 结构 电子 发射 | ||
【主权项】：
一种纳米材料‑介质‑纳米材料结构的电子发射源，其特征在于：在有机或无机材质的基板上设置有能产生隧穿效应的电子源；所述的电子源由电子发射层，介质传导层和电子透射层构成；所述电子发射层平铺在基板表面，介质传导层平铺在电子发射层表面，电子透射层连续或非连续平铺在介质传导层表面。
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