[发明专利]一种半导体非球面加工方法无效
| 申请号： | 201110349368.5 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102501162A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 杨晓飞;陆丽娟 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | B24B37/00 | 分类号： | B24B37/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体非球面加工方法，其包括以下步骤：1）对待加工的非球面进行分析；2）根据MRP，结合工作函数，确定出数控小磨头的工作参数，所述MRP为化学试剂在待加工非球面的半导体材料上的去除率；3）将半导体材料铣磨好最接近球面，然后固定在非球面数控加工中心上，将工作参数输入到非球面数控加工中心，对半导体材料进行抛光；4）一个周期抛光结束后，对半导体非球面进行检测，将检测数据反馈给非球面数控加工中心，重复步骤2、3、4直到半导体非球面的面形精度达标。本发明公实现了对半导体非球面的面形高精度高光洁度的抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 球面 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体非球面加工方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1）对待加工的非球面进行分析，包括非球面的外形尺寸大小测量、最接近球面的计算及偏离量的计算，以得到非球面镜加工难度以及确定加工方案细节；步骤2）根据MRP，结合工作函数，确定出数控小磨头的工作参数，所述MRP为化学试剂在待加工非球面的半导体材料上的去除率；步骤3）将半导体材料铣磨好最接近球面，然后固定在非球面数控加工中心上，将工作参数输入到非球面数控加工中心，对半导体材料进行抛光；步骤4）一个周期抛光结束后，对半导体非球面进行检测，将检测数据反馈给非球面数控加工中心，重复步骤2、3、4直到半导体非球面的面形精度达标。
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