[发明专利]用作等离子注入的掩蔽层的光刻胶的去除方法有效
| 申请号： | 201110349632.5 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103092009A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 曹亮;史超;汤佳杰 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;高为 |
| 地址： | 214028 江苏无锡市国家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用作等离子注入的掩蔽层的光刻胶的去除方法，属于光刻技术领域。在该方法的所述等离子灰化步骤中，在所通入的用于形成氧等离子体的气体中混合氟化碳气体以抑制所述氧等离子体复合生成O2；并且设置等离子灰化处理过程的温度以避免所述光刻胶表面因等离子注入而形成的聚合物层产生变形。该方法能有效地去除光刻胶表面因等离子注入而形成的聚合物层，光刻胶的去除工艺简单、效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 用作 等离子 注入 掩蔽 光刻 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻胶的去除方法，所述光刻胶用作等离子注入的掩蔽层，所述去除方法包括等离子灰化步骤；其特征在于，在所述等离子灰化步骤中，在所通入的用于形成氧等离子体的气体中混合氟化碳气体以抑制所述氧等离子体复合生成O2；并且设置等离子灰化处理过程的温度以避免所述光刻胶表面因等离子注入而形成的聚合物层产生变形。
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