[发明专利]一种SOI和基于SOI的MOS器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种SOI结构及其制造方法，其制作的绝缘埋层BOX由三部分组成，其中，因为在离子注入形成绝缘埋层之前，在辅助栅极周围设置了辅助侧墙，离子注入时，其下方形成了连接辅助栅极下方的第一BOX和未被辅助栅极和辅助侧墙覆盖的半导体衬底基体下方的第二BOX的第三BOX，第三BOX作为第一和第二BOX之间的过渡区域，同时解决了三部分BOX连接角度尖锐和断裂问题。同时，以此结构的SOI作为衬底，在BOX上方的顶层硅上制作MOS器件，能够避免由于BOX隔离不充分引起的漏电流增大问题。

主权项

一种绝缘层上硅的制作方法，提供半导体衬底基体，其特征在于，该方法包括：所述半导体衬底基体的器件面上依次制作介质层和辅助栅极；所述介质层和辅助栅极表面沉积第二介质层，在所述辅助栅极侧壁形成辅助侧墙；从所述介质层、辅助栅极和辅助侧墙上方对所述半导体衬底基体进行注氧隔离，在所述辅助栅极下方的半导体基体衬底中形成第一绝缘埋层，所述辅助侧墙两侧的介质层下方的半导体基体衬底中形成第二绝缘埋层，所述辅助侧墙下方的半导体衬底基体中形成第三绝缘埋层，所述第三绝缘埋层的两端分别连接呈台阶状的所述第一绝缘埋层和第二绝缘埋层，且所述第三绝缘层呈曲面；去除所述辅助栅极和第二介质层。