[发明专利]一种应用于多晶硅太阳能电池的边缘刻蚀工艺

摘要

本发明实施例公开了一种应用于多晶硅太阳能电池的边缘刻蚀工艺，用于代替目前多晶硅太阳能电池的制造工艺中的背腐蚀处理步骤。本发明实施例方法包括：对堆叠硅片的边缘进行喷雾处理，所述喷雾处理的刻蚀浆料为能够腐蚀硅与二氧化硅的混合浆料；将所述经过喷雾处理后的堆叠硅片放入烧结炉中进行刻蚀处理，使得所述刻蚀浆料与所述堆叠硅片充分反应。使用本发明的边缘刻蚀工艺，能够使刻蚀宽度大约为50微米，提高硅片表面PN结的有效利用面积，并且避免了使用强腐蚀性酸的风险。

主权项

一种应用于多晶硅太阳能电池的边缘刻蚀工艺，其特征在于，包括：对堆叠硅片的边缘进行喷雾处理，所述喷雾处理的刻蚀浆料为能够腐蚀硅与二氧化硅的混合浆料；将所述经过喷雾处理后的堆叠硅片放入烧结炉中进行刻蚀处理，使得所述刻蚀浆料与所述堆叠硅片充分反应，所述烧结炉的第一温区为400摄氏度、第二温区为400摄氏度、第三温区为400摄氏度、第四温区为450摄氏度，所述刻蚀处理的加热时间为120至240秒，其中有效反应时间为60至90秒。