[发明专利]浅槽隔离结构及其进行离子注入的方法有效
| 申请号： | 201110350560.6 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103094286A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅槽隔离结构，其截面形状呈现为正梯形，即开口处的宽度小于底部的宽度，其侧壁与底部的夹角为锐角；所述浅槽隔离结构包括内侧墙和填充结构两部分，所述填充结构的截面形状为矩形或倒梯形，倒梯形指开口处的宽度大于底部的宽度。本发明还公开了所述浅槽隔离结构进行离子注入的方法。本发明由于采用了正梯形的沟槽截面形状，因此对沟槽底部进行离子注入时可以采用高能量的离子注入工艺，而不用担心会对沟槽的侧壁造成损害。沟槽中的内侧墙可以避免沟槽填充出现空洞的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 及其 进行 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种浅槽隔离结构，其特征是，其截面形状呈现为正梯形，即开口处的宽度小于底部的宽度，其侧壁与底部的夹角为锐角；所述浅槽隔离结构包括内侧墙和填充结构两部分，所述填充结构的截面形状为矩形或倒梯形，倒梯形指开口处的宽度大于底部的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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