[发明专利]具有深赝埋层的锗硅HBT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110350565.9 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103094329A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有深赝埋层的锗硅HBT器件，包括有位于沟槽中的隔离结构，所述隔离结构往下在衬底中依次形成有纵向接触的第二赝埋层和第一赝埋层，且第一赝埋层相互之间横向连接。第二赝埋层在横向上相互独立。集电区由两个沟槽中的隔离结构和各个赝埋层所围成。所述沟槽的截面形状为正梯形，即沟槽开口的宽度大于沟槽底部的宽度。本发明还公开了所述锗硅HBT器件的制造方法。本发明所述锗硅HBT器件可以减小基区、集电区、衬底的寄生三极管的电流放大倍数，减小集电区的串联电阻，降低了锗硅HBT的饱和压降，从而提升器件性能。其制造方法简单，顺序安排合理，有利于快速实施。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 深赝埋层 hbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有深赝埋层的锗硅HBT器件，包括有位于沟槽中的隔离结构，其特征是，所述隔离结构往下在衬底中依次形成有纵向接触的第二赝埋层和第一赝埋层，且第一赝埋层相互之间横向连接。
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