[发明专利]半导体发光装置有效
申请号: | 201110350684.4 | 申请日: | 2011-11-01 |
公开(公告)号: | CN103094274A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 格里戈里·奥努什金;奥列格·力德亚伊夫;林钟勋;孙重坤;崔繁在 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L33/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种半导体发光装置,该半导体发光装置具有半导体层叠体,半导体层叠体包括提供第一主要表面的第一导电类型半导体层和提供第二主要表面的第二导电类型半导体层以及有源层。半导体层叠体被划分为第一区域和第二区域。至少一个接触孔形成为从第一区域的第二主要表面穿过有源层。第一电极形成在第二主要表面上以连接到第一区域的第一导电类型半导体层和第二区域的第二导电类型半导体层。第二电极形成在第一区域的第二主要表面上以连接到第一区域的第二导电类型半导体层和第二区域的第一导电类型半导体层。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体发光装置,所述半导体发光装置包括:半导体层叠体,所述半导体层叠体包括彼此相对的第一主要表面和第二主要表面、提供所述第一主要表面的第一导电类型半导体层和提供所述第二主要表面的第二导电类型半导体层以及形成在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层,所述半导体层叠体被分隔槽划分为第一区域和第二区域;至少一个接触孔,形成为从第一区域的第二主要表面穿过有源层,从而连接到第一导电类型半导体层的一个区域;第一电极,形成在半导体层叠体的第二主要表面上,通过所述至少一个接触孔连接到第一区域的第一导电类型半导体层,并连接到第二区域的第二导电类型半导体层;第二电极,形成在第一区域的第二主要表面上并连接到第一区域的第二导电类型半导体层;电极连接单元,将所述第二电极连接到第二区域的第一导电类型半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的