[发明专利]一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体生长过程中出现杂晶的方法有效
| 申请号： | 201110350938.2 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102560678A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 罗军华;孙志华;陈天亮;洪茂椿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(DAST)晶体生长过程中出现杂晶的方法，属于晶体生长领域。在生长DAST晶体的过程中，向生长溶液内添加比表面积为200~1000m2/g的颗粒状或柱状活性炭作为吸附剂。活性炭颗粒的加入可以拓宽DAST晶体生长溶液的亚稳相区间，减少微晶的聚集趋势，提高生长溶液的稳定性。本发明所采用的方法比较简单，便于操作，可以有效抑制或延缓DAST晶体生长溶液中出现杂晶，起到调节晶体生长速率、改善晶体生长习性的作用；而且能够在生长过程中降低晶体内部的缺陷，容易获得具有高光学质量的DAST晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 甲基 氨基 苯乙烯 吡啶 甲苯 磺酸盐 晶体生长 过程 出现 方法 | ||
【主权项】：
一种4‑(4‑二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐晶体的生长方法，其特征在于：在晶体的生长过程中，采用活性炭颗粒作为吸附剂。
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