[发明专利]一种光阻涂布的方法及装置有效
| 申请号： | 201110351490.6 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103094093A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 戴新华;彭超群;方表峰;杜兆董 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光阻涂布的方法及装置，用以降低半导体芯片的不良率。该方法包括：将晶片放置在工作台上，对所述晶片进行至少两次的光阻涂布，其中，每次光阻涂布包括：旋转所述工作台，并使所述工作台上方的光阻输配喷嘴喷出光阻。这样，使得涂布的光阻厚度均匀性得到显著改善，刻蚀后最薄处光阻剩余厚度足以挡住护层刻蚀，因此可以解决护层过刻问题，确保刻蚀后图形定义完整，降低半导体芯片的不良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光阻涂布 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种光阻涂布的方法，其特征在于，包括：将晶片放置在工作台上；对所述晶片进行至少两次的光阻涂布，其中，每次光阻涂布包括：旋转所述工作台，并使所述工作台上方的光阻输配喷嘴喷出光阻。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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