[发明专利]液晶显示装置有效
申请号: | 201110351979.3 | 申请日: | 2011-11-09 |
公开(公告)号: | CN102466928A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 今野隆之;西田真一;伊藤英毅;石野隆行;廉谷勉 | 申请(专利权)人: | NLT科技股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/133 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 关兆辉;谢丽娜 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种液晶显示装置,尤其提供了一种有源矩阵型液晶显示装置,其具有均匀和精细地配向形成在显示区域中的平坦化膜的结构,其能够以较小的面积确保大的存储电容并且实现高的数值孔径。不具有平坦化膜的凹陷区域形成在源电极的一部分中。在凹陷区域中,由透明导电膜制成的公共电极覆盖源电极以形成第二存储电容器。 | ||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
通过在公共电极和像素电极之间产生的电场驱动液晶层的IPS液晶显示装置,所述液晶显示装置包括:TFT基板,在所述TFT基板中以矩阵提供具有显示区域的大量子像素;对置基板,通过与所述TFT基板相对来设置;液晶层,所述液晶层被夹在所述对置基板和所述TFT基板之间;扫描信号布线和公共信号布线,所述扫描信号布线和公共信号布线设置在所述TFT基板上;第一绝缘膜,所述第一绝缘膜设置在所述TFT基板、所述扫描信号布线以及所述公共信号布线上;源电极,所述源电极设置在所述第一绝缘膜上;第二绝缘膜,所述第二绝缘膜设置在所述第一绝缘膜和所述源电极上;平坦化膜,所述平坦化膜设置在所述第二绝缘膜上;公共电极,所述公共电极由透明导电膜制成,所述公共电极设置在所述平坦化膜上并且连接到所述公共信号布线;以及像素电极,所述像素电极由透明导电膜制成,所述像素电极设置在所述平坦化膜上并且连接到所述源电极,其中:所述平坦化膜形成在所述显示区域的所有范围中;凹陷区域包括所述源电极上的一部分,所述凹陷区域是由所述第二绝缘膜上没有设置所述平坦化膜的区域构造的;并且所述公共电极在所述凹陷区域内部延伸,所述液晶显示装置进一步包括:第一存储电容器,所述第一存储电容器以所述第一绝缘膜被夹在所述公共信号布线和所述源电极之间的结构来构造;和第二存储电容器,所述第二存储电容器设置在所述凹陷区域内部,所述第二存储电容器以所述第二绝缘膜被夹在所述公共电极和所述源电极之间的结构来构造。
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