[发明专利]掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201110351985.9 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102956710A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 赵淑云;郭海成;王文 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 苗青盛;王凤华 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜晶体管，包括：连续横向区域的多晶硅薄膜蚀刻成有源硅岛；沉积低温氧化物作为栅极绝缘层；形成栅电极，将硼以4×1015/cm2计量离子注入源极和漏极；沉积500nm的氧化物作为绝缘层并在栅极、源极和漏极区域上开电极接触孔；其中，该多晶硅薄膜去除上表面的镍硅氧化物、化学氧化物和纳米二氧化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 诱导 多晶 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜晶体管，包括：连续横向区域的多晶硅薄膜蚀刻成有源硅岛；沉积低温氧化物作为栅极绝缘层；形成栅电极，将硼以4×1015/cm2计量离子注入源极和漏极；沉积500nm的氧化物作为绝缘层并在栅极、源极和漏极区域上开电极接触孔；其中，该多晶硅薄膜去除上表面的镍硅氧化物、化学氧化物和纳米二氧化硅层。
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