[发明专利]一种可调变光学衰减器及其制作方法无效
| 申请号： | 201110352761.X | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102385175A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 宋齐望;孙麦可 | 申请（专利权）人： | 孙其琴 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02B6/13 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 刘震 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为一种可调变光学衰减器及其制作方法，属于光学通信领域，其包括二氧化硅衬底及设于其上的外部二氧化硅上包层，外部二氧化硅上包层内部设有凹槽，外部二氧化硅上包层与凹槽之间设有侧沟槽，侧沟槽内充满热光材料，外部二氧化硅上包层、侧沟槽、凹槽的上部覆有封帽，凹槽底部设有波导芯，波导芯上部设有内部二氧化硅上包层，所述封帽内部与内部二氧化硅上包层相接处设有金属电极。通过在二氧化硅衬底上直接生长出波导芯，不仅减去了二氧化硅下包层的生长时间，缩短了产品的生长周期，而且降低了产品成本；另外，由于衬底和下包层为同种材料，消除了衬底对器件的应力影响，有效地降低了器件的偏振相关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可调 光学 衰减器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种可调变光学衰减器，包括二氧化硅衬底，其特征在于：所述二氧化硅衬底上设有外部二氧化硅上包层，所述外部二氧化硅上包层内部设有凹槽，所述外部二氧化硅上包层与凹槽之间设有侧沟槽，所述侧沟槽内充满热光材料，所述外部二氧化硅上包层、侧沟槽、凹槽的上部覆有封帽，所述凹槽底部设有波导芯，所述波导芯上部设有内部二氧化硅上包层，所述封帽内部与内部二氧化硅上包层相接处设有金属电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于孙其琴，未经孙其琴许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110352761.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
