[发明专利]金属凸块的形成有效
| 申请号： | 201110353089.6 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102832144A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 郑明达;林志伟;林修任;杨宗翰;吕文雄;林正怡;吴逸文;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了形成金属凸块的系统和方法。实施例包括将导电材料附接于载体介质，然后将导电材料与衬底的导电区相接触。采用接合工艺将导电材料的部分接合至导电区以在导电区上形成导电帽，并去除剩余的导电材料和载体介质。采用回流工艺将导电帽回流成导电凸块。本发明还提供了一种金属凸块的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 形成 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有暴露的导电区的衬底；将导电材料层与所述导电区相接触，所述导电材料包括与所述导电区相接触的第一区以及不与所述导电区相接触的第二区；以及将所述第二区与所述第一区分开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110353089.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：滚塑模具
- 下一篇：液晶显示面板的聚酰亚胺涂布方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
