[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201110353550.8 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102468106A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 长山将之;菊池英一郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过抑制被处理基板的周缘部的温度上升，能够提高等离子体处理的面内均匀性，能够进行均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有：处理腔室，能够将该处理腔室的内部气密地闭塞；处理气体供给机构，用于向处理腔室内供给处理气体；排气机构，用于从处理腔室内排气；等离子体生成机构，用于生成处理气体的等离子体；载置台，设于处理腔室内，且构成为将被处理基板和以围绕该被处理基板的周围的方式配置的聚焦环载置在同一平面上；调温机构，用于调节载置台的温度；静电吸盘，配置于载置台的上表面且具有延伸至聚焦环的下部的吸附用电极。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：处理腔室，其能够将该处理腔室的内部气密地闭塞；处理气体供给机构，其用于向上述处理腔室内供给处理气体；排气机构，其用于从上述处理腔室内排气；等离子体生成机构，其用于生成上述处理气体的等离子体；载置台，其设于上述处理腔室内，且构成为将被处理基板和以围绕该被处理基板的周围的方式配置的聚焦环载置在同一平面上；调温机构，其用于调节上述载置台的温度；静电吸盘，其配置于上述载置台的上表面，且具有延伸至上述聚焦环的下部的吸附用电极。
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