[发明专利]一种连续制备高纯度单/双壁碳纳米管的装置及方法有效

专利信息
申请号: 201110353754.1 申请日: 2011-11-09
公开(公告)号: CN102502589A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 骞伟中;崔超婕;郑超;张强;魏飞 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02;B82Y40/00
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 史双元
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了属于碳纳米管制备技术领域的一种连续制备高纯度单/双壁碳纳米管的装置及方法。该装置的下行床套入提升管中,下行床的气固出口与提升管中的锥形结构或隔板的下端相邻。本发明制备单/双壁碳纳米管的方法为:工艺气与催化剂先从下行床的顶部进入,完成碳源裂解与单/双壁碳纳米管的成核及生长过程,然后气体与固体从下行床底部出来后,进入提升管并流向上,从提升管底部通入碳源,使此处的碳源与氢气的比例与下行床入口处相同,进一步高选择性生长单/双壁碳纳米管。本发明的方法具有产品纯度高,产量大,制备成本低廉,过程易放大的特点。
搜索关键词: 一种 连续 制备 纯度 双壁碳 纳米 装置 方法
【主权项】:
一种连续制备高纯度单/双壁碳纳米管的装置,其特征在于,下行床(1)套入提升管(2)中;下行床(1)有一个气固进口(6)和一个气固出口(3);提升管(2)有一个气体进口(7),一个构件区(8),一个气固出口(9),一个加热系统(10),一个锥形结构(4)或一个隔板(5);下行床(1)的气固出口(3)与提升管(2)中的锥形结构(4)或隔板(5)的下端相邻。
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