[发明专利]高填充系数的CMOS图像传感器像素单元及其工作方法有效
| 申请号： | 201110354390.9 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102420946A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 何进;苏艳梅;张东维 | 申请（专利权）人： | 深港产学研基地 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人： | 满群 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高填充系数的CMOS图像传感器像素单元及其工作方法，其中像素单元包括仅一个P+端电连接控制信号的P+/N-Well/P-sub结构的二极管(N1)和仅一个射极连接读出总线的源极跟随晶体管(M1)；对应像素阵列工作方法包括：清零：运作时，对全体像素单元施加一个负电压，清除内部节点电荷；重置：在指定像素列施加高的正电压，以激活N1为节点充电；读出：将控制信号置零，在一个固定光照集成时间后，光感信号将通过M1被读出；置零：在读出操作后，施加高负电压的控制信号，使M1失效，并通过N1的结电容将感应节点电荷释放至零；截止：将控制信号置零，这将使像素单元输出被截断，直至下一个重置。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 系数 cmos 图像传感器 像素 单元 及其 工作 方法 | ||
【主权项】：
一种高填充系数的CMOS图像传感器像素单元，电连接偏置电压(Vdd1)、偏置电流(I1)和控制信号(φ1)，其特征在于，包括：仅一个P+/N‑Well/P‑sub结构的二极管(N1)，P+端电连接所述控制信号，用于清零、重置、置零和截止；仅一个源极跟随晶体管(M1)，基极电连接所述P+/N‑Well/P‑sub结构的二极管(N1)，射极通过读出总线电连接所述偏置电流(I1)，集电极电连接所述偏置电压(Vdd1)，用于读出光感信号。
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