[发明专利]增加聚硅氮烷和氮化硅间黏性和形成沟槽隔离结构的方法有效
| 申请号： | 201110354595.7 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102768978A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 施信益;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，包括提供基底，包括沟槽；在沟槽的底部和侧壁形成氮化硅衬层；对氮化硅衬层进行处理制程，产生具有OH基团的亲水表面，以增加氮化硅衬层和后续步骤形成的聚硅氮烷涂布层的黏着性；及在沟槽的氮化硅衬层上形成聚硅氮烷涂布层。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 聚硅氮烷 氮化 黏性 形成 沟槽 隔离 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁形成氮化硅衬层；对所述氮化硅衬层进行处理制程，产生具有OH基团的亲水表面，以增加氮化硅衬层和后续步骤形成的聚硅氮烷涂布层的黏着性；及在所述沟槽的氮化硅衬层上形成聚硅氮烷涂布层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
