[发明专利]大面积柔性金属基底高吸热金属陶瓷复合膜连续制备方法无效

专利信息
申请号: 201110354716.8 申请日: 2011-11-10
公开(公告)号: CN102358937A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 赵慨;冯煜东;王艺;王志民;速小梅 申请(专利权)人: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/08
代理公司: 甘肃省知识产权事务中心 62100 代理人: 马英
地址: 730000*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 一种大面积柔性金属基底高吸热金属陶瓷复合膜连续制备方法是:对柔性金属基底通过辉光等离子体进行清洗活化后镀制金属反射膜层;在镀制好的金属反射膜层上,连续镀制梯度M-Al2O3金属陶瓷膜层;在所述M-Al2O3金属陶瓷膜层之上,镀制减反层Al2O3膜作为外层膜。本发明采用双靶共溅射的工艺实现了太阳能选择吸收膜的吸收层为一层且一次连续卷绕镀制而成的方法,并且其中的金属微粒体积分数在介质中呈连续梯度分布而形成一种新的金属陶瓷复合膜。该金属陶瓷复合膜具有高吸收发射比和高效吸热的性能。
搜索关键词: 大面积 柔性 金属 基底 吸热 金属陶瓷 复合 连续 制备 方法
【主权项】:
大面积柔性金属基底高吸热金属陶瓷复合膜连续制备方法,其特征在于:具体步骤如下:步骤一、对柔性金属基底进行清洗活化;步骤二、在通过步骤一处理的柔性金属基底上,镀制金属反射膜层;步骤三、在镀制好的金属反射膜层上,连续镀制梯度M‑Al2O3金属陶瓷膜层;在镀制过程中,设置金属M靶和Al靶,采用双靶共溅射的形式,采用直流磁控溅射方式进行金属M的镀制;采用脉冲反应磁控溅射方式镀制Al2O3;溅射用气体为氩气,反应气体为氧气; 氩气通至金属M靶面,氧气通至金属Al靶面;柔性金属基底卷绕走带先通过金属M靶,再通过Al靶,使金属M粒子在Al2O3介质基体中的含量从金属陶瓷与金属分界面向金属陶瓷表面呈梯度减少;所述金属M为金属Mo、Mn、Al、Au、Pt、Cu或SS;步骤四、在所述M‑Al2O3金属陶瓷膜层之上,镀制减反层Al2O3膜作为外层膜。
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