[发明专利]一种p型导电氧化锌薄膜材料及制备方法有效
| 申请号： | 201110354868.8 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102386246A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 汤子康;陈明明;苏龙兴;张权林;祝渊;吴天准;桂许春;项荣 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/20;H01L21/36 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种p型导电氧化锌薄膜材料，其包括衬底及生长于衬底上的外延层，自衬底至外延层之间依次设有金属镁层、氧化镁层、生长温度逐渐升高的第一氧化锌层与第二氧化锌层；外延层为在氧化锌合金中掺入受主元素B和掺入A原子形成的p型AZnO:B层。本发明p型导电氧化锌薄膜材料及制备方法的优点在于引入A原子形成AZnO合金，然后掺杂受主元素B来实现ZnO稳定、高载流子浓度的空穴导电。本发明中，引入的A原子会占据Zn原子位置，A原子同受主原子B成键以后，由于A-B键能相对于Zn-B非常强，A原子能够有效地抓住受主B原子，避免ZnO直接掺杂受主B原子中Zn-B键断裂而带来的不稳定；同时，A的引入也提高了受主原子B的掺杂浓度，从而保证了高浓度、稳定的空穴导电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 氧化锌 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种p型导电氧化锌薄膜材料，其特征在于：包括衬底（1）及生长于衬底（1）上的外延层，自所述衬底至外延层之间依次设有金属镁薄层（2）、氧化镁薄层（3）、生长温度逐渐升高的第一氧化锌层（4）与第二氧化锌层（5）；所述外延层为在氧化锌合金中掺入受主元素B和掺入A原子形成的p型AZnO:B层（6）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110354868.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
