[发明专利]积层薄膜电容的制造设备无效
| 申请号： | 201110355174.6 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN103093975A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 尹剑;安荣宽 | 申请（专利权）人： | 尹剑 |
| 主分类号： | H01G13/00 | 分类号： | H01G13/00;H01G4/33 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 辽宁省大连市金*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明是有关高容量MLDC(积层薄膜电容，Multi-Layer Deposition Capacitor)制造设备的发明。已公示的本发明设备中为晶片的出入，侧面安装了多个闸阀。具备通过闸阀传送晶片的机械臂转换室和利用转换室供应晶片的卡座；卡座上下移动而安装的装载室；从转换室根据返回的机械臂接收晶片，在晶片上通过溅镀方式蒸镀内部电极的溅镀室；从转换室利用返回的机械臂接收晶片，在晶片上通过原子层蒸镀(ALD)方式将电层蒸镀的原子层蒸镀室(ALD Chamber)；安装在转换室、溅镀室及原子层蒸镀室(ALD Chamber)而提供真空压力的真空终端。具备上述结构的本发明中所有功能室将相互连接，从而通过返回机械臂的传送能够独立的控制各功能室之间的工程，具有同时执行物理气化蒸镀(PVD)和化学气化蒸镀(CVD)的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电容 制造 设备 | ||
【主权项】：
一种积层薄膜电容的制造设备，包括：为晶片的出入，侧面安装了多个闸阀，具备通过上述闸阀传送晶片的机械臂转换室；具备向上述转换室供应晶片的卡座，安装的上述卡座可以上下移动的装载室；从上述转换室根据上述返回的机械臂接收晶片，在晶片上通过溅镀方式蒸镀内部电极的溅镀室；从上述转换室利用上述返回的机械臂接收晶片，在晶片上通过原子层蒸镀方式将电层蒸镀的原子层蒸镀室；及安装在上述的转换室、溅镀室、原子层蒸镀室，提供真空压力的真空端口。
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