[发明专利]一种具有高击穿场强的玻璃陶瓷电介质及其制备方法

摘要

本发明公开了属于适合于高压直流环境使用的玻璃陶瓷电介质技术领域的一种具有高击穿场强的玻璃陶瓷电介质及其制备方法，其成分组成为：xPbO-yBaO-zSrO-aNb2O5-bNa2O-cSiO2-dR，且满足0≤x≤17.1，0≤y≤17.5，0≤z≤14.3，10.7≤a≤34，11≤b≤25.4，28≤c≤47，0≤d≤4.5，其中，R作为辅成分，为MnO2，MgO，CaO，ZnO中的至少一种氧化物，x、y、z、a、b、c、d为摩尔比。本发明的玻璃陶瓷电介质具有高击穿场强、高介电常数、良好的介电常数温度稳定性，实现了无孔隙，直流击穿场强可达到50kV/mm以上。

主权项

一种具有高击穿场强的玻璃陶瓷电介质，其特征在于：其成分组成为：xPbO‑yBaO‑zSrO‑aNb2O5‑bNa2O‑cSiO2‑dR，且满足0≤x≤17.1，0≤y≤17.5，0≤z≤14.3，10.7≤a≤34，11≤b≤25.4，28≤c≤47，0≤d≤4.5，其中，R作为辅成分，为MnO2，MgO，CaO，ZnO中的至少一种氧化物，x、y、z、a、b、c、d为摩尔比。