[发明专利]混合溅射靶及其在碲化镉基薄膜光伏装置中的使用无效
| 申请号： | 201110356258.1 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102453864A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | S·D·费尔德曼-皮博迪;R·D·戈斯曼 | 申请（专利权）人： | 初星太阳能公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汤春龙;朱海煜 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的名称为混合溅射靶及其在碲化镉基薄膜光伏装置中的使用，一般提供在衬底12上溅射硫化镉层18的方法。硫化镉层18能够从包括镉、硫和氧的混合靶64在衬底12上溅射。硫化镉层18能够在形成碲化镉薄膜光伏装置10的方法中使用。还一般提供包括硫化镉和氧化镉的混合靶64。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 溅射 及其 碲化镉基 薄膜 装置 中的 使用 | ||
【主权项】：
一种在衬底上溅射硫化镉层(18)的方法，所述方法包括：从混合靶(64)在衬底(12)上溅射包含氧的硫化镉层(18)，其中所述混合靶(64)包括镉、硫和氧。
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