[发明专利]一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺有效
| 申请号： | 201110356287.8 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102569052A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;张文广;徐强;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其中，包括有多晶硅，在所述多晶硅的顶部局部开槽，该开槽工艺采用新的光罩，采用单次图形化和刻蚀成形，以形成栅极，当镍与所述多晶硅发生反应形成硅化物时，最终成形为形貌平直的栅极镍硅化物。使用本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，通过在多晶硅上成型顶部局部开槽的栅极方法，从而最终形成形貌平直的栅极镍硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有助于 消除 型镍硅化物 器件 结构 及其 相应 工艺 | ||
【主权项】：
一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其特征在于，包括有多晶硅，在所述多晶硅的顶部局部开槽，该开槽工艺采用新的光罩，采用单次图形化和刻蚀成形，以形成栅极，当镍与所述多晶硅发生反应形成硅化物时，最终成形为形貌平直的栅极镍硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
