[发明专利]二氧化钒薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110358236.9 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102383114A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;丁尚军;李德增;赵伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C18/12 | 分类号： | C23C18/12 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及二氧化钒薄膜及其制备方法，配制四价钒前驱生长液，将洗净的基片直接浸入到该生长液中并转入高压反应釜内，在150～250℃温度下进行水热反应0.5～96小时，通过基片的诱导作用制得具有片状VO2堆积的二氧化钒薄膜。本发明所制备的二氧化钒薄膜具有特定的微观形貌（如片状或棒状VO2堆积），是具有一定纳米结构的薄膜，这是传统的薄膜制备工艺（比如sol-gel，溅射等）所不能实现的；另外薄膜的纳米结构与直接合成的粉体微观形貌是有一定差别的。且水热生长的VO2薄膜不通过退火就具有较好的结晶性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，配制四价钒前驱生长液，将洗净的基片直接浸入到该生长液中并转入高压反应釜内，在150～250℃温度下进行水热反应0.5～96小时，通过基片的诱导作用制得具有片状VO2堆积的二氧化钒薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110358236.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
