[发明专利]成膜装置、成膜基板制造方法及成膜基板

摘要

本发明的目的在于提供一种可成膜当利用激光划线法来进行图案形成时能够适当地被去除的钼层的成膜装置、成膜基板制造方法及成膜基板。本发明的成膜装置在成膜室(11B)内，从基板输送方向(D)的上游侧遍及下游侧产生惰性气体的压力梯度。该压力梯度以上游侧的惰性气体的压力增大且下游侧的惰性气体的压力减小的方式形成。通过在产生这种压力梯度的成膜室(11B)内实施钼层的成膜，从而能够成膜从基板侧遍及表面侧形成有金属密度梯度的钼层。就该金属密度梯度而言，在钼层的膜厚方向上，以密度随着从表面侧接近基板侧而减小的方式形成密度梯度。若对具有这种密度梯度的钼层应用激光划线法，则能够适当地去除钼层。

主权项

一种成膜装置，其是在基板上成膜钼层的成膜装置，其特征在于，具备：成膜室，设置用于成膜所述钼层的成膜材料，且在所述基板上成膜所述钼层；及压力梯度形成构件，将惰性气体导入至所述成膜室内，并可形成使所述成膜室内的惰性气体的压力从第1压力状态降低至低于该第1压力状态的第2压力状态的压力梯度，所述成膜室在所述惰性气体的压力沿所述压力梯度下降的气氛中，在所述第1压力状态下进行成膜之后，在所述第2压力状态下进行成膜。