[发明专利]基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法有效
| 申请号： | 201110359188.5 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102436529A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 石艳玲;李曦;周卉;任铮;胡少坚;陈寿面 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法，测试MOS晶体管的失效时间数据，经统计分析获得累积分布函数估计值和概率密度函数估计值，绘制累积分布函数曲线和概率密度函数曲线，以其为拟合标准，获得Weibull分布模型下的概率密度函数拟合曲线和累积分布函数拟合曲线，判断函数拟合曲线和绘制得到的函数曲线的相对误差是否在预定值之内，记录Weibull分布模型中的模型参数，得到失效时间和模型参数的查表文件的模型库，得到Weibull分布下MOS晶体管的可靠性统计模型。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 weibull 分布 mos 晶体管 可靠性 统计 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）测试相同生产条件下一定数量的相同尺寸和相同类型MOS晶体管的失效时间数据；（2）对步骤（1）中获得的失效时间数据进行统计分析，获得累积分布函数估计值和概率密度函数估计值，并基于所述估计值绘制累积分布函数曲线和概率密度函数曲线；（3）以步骤（2）中获得的所述累积分布函数曲线和概率密度函数曲线为拟合标准，获得Weibull分布模型下的概率密度函数拟合曲线和累积分布函数拟合曲线；（4）判断步骤（3）中获得的Weibull分布模型下的累积分布函数拟合曲线和概率密度函数拟合曲线与步骤（2）中获得的所述累积分布函数曲线和概率密度函数曲线的相对误差是否在预定值之内，如果是，则记录所述Weibull分布模型中的模型参数，否则重复步骤（3）进行累积分布函数曲线和概率密度函数曲线的拟合，直到所述相对误差在预定值内；（5）对相同生产条件下一定数量的不同尺寸和相同类型、相同尺寸和不同类型或不同尺寸和不同类型的MOS晶体管分别重复进行上述步骤（1）至步骤（4），建立所述失效时间数据和所述模型参数的查表文件的模型库，得到Weibull 分布模型下MOS晶体管的可靠性统计模型。
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