[发明专利]一种金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201110359286.9 | 申请日： | 2011-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102392305A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 任豪;曾群;刘颂豪;张庆茂 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B23/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜的制备方法。所述方法包括如下步骤：按照比例将金属离子掺杂的钇铝石榴石的原料粉末压制成沉积镀膜用的坯体，采用电子束蒸发沉积工艺，电子枪产生电子束聚焦射入坯体，控制电子束自动扫描均匀加热预熔坯体，使坯体初步烧结结晶成瓷，随后加大电子枪功率进一步加热坯体，使其熔融并蒸发沉积在衬底基片上形成薄膜，再将薄膜在真空或保护气氛下进行退火处理，最终制备获得有效结晶的金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜。本方法可实现金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜的高质量、低成本、大面积批量生产，制得的金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜可用作新型的光波导材料、激光工作物质和功能薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 离子 掺杂 石榴石 晶体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：按照比例将金属离子掺杂的钇铝石榴石的原料粉末压制成沉积镀膜用的坯体，然后控制电子束自动扫描均匀加热预熔坯体，使坯体初步烧结结晶，随后加大电子枪功率进一步加热坯体，使其熔融并蒸发沉积在衬底基片上形成金属离子掺杂的钇铝石榴石基薄膜，再将金属离子掺杂的钇铝石榴石基薄膜在真空或保护气氛下进行退火处理，最终制备获得所述金属离子掺杂的钇铝石榴石晶体薄膜。
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