[发明专利]一种多层金属-氮化硅-金属电容及其制作方法有效
| 申请号： | 201110359861.5 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102446981A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪;胡友存;徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多层金属-氮化硅-金属电容器，其特征在于，具有若干层低k值介质和氮化硅的混合层，每一层混合层中包括：在水平方向上交替分布的若干低k值介质区和若干高k值氮化硅区；每个低k值介质区上具有第一金属槽，所述第一金属槽中填充有金属；每个高k值氮化硅区上具有若干第二金属槽，所述若干第二金属槽中均填充有金属。发明通过提高层间和层内电容器的电介质的k值，有效地提高层间和层内电容器的电容。通过改善高k值氮化硅的性能，有效地改善金属-氮化硅-金属（MOM）电容器的击穿电压、漏电流等各电特性，以及各器件间的电学均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 金属 氮化 电容 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多层金属‑氮化硅‑金属电容器，其特征在于，具有若干层低k值介质和氮化硅的混合层，每一层混合层中包括：在水平方向上交替分布的若干低k值介质区和若干高k值氮化硅区；每个低k值介质区上具有第一金属槽，所述第一金属槽中填充有金属；每个高k值氮化硅区上具有若干第二金属槽，所述若干第二金属槽中均填充有金属。
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