[发明专利]一种消除MOS开关管内二极管关断损耗的简单方法无效

专利信息
申请号: 201110359892.0 申请日: 2011-11-14
公开(公告)号: CN103107691A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 张兆良 申请(专利权)人: 上海英孚特电子技术有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201107*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在半桥式变换器电路中电感线圈中的电流有时会经MOS开关管内二极管维持流通。当此电流减为零,并即刻有高反向电压加上,而此刻二极管的反向恢复电流还未消失,就将产生不可忽略的损耗(MOS开关管内二极管的反向恢复时间一般为数百纳秒,反应不够快,达不到有些电路要求)。本发明通过在半桥式变换器两个MOS开关管电流通路中分别串入一个圈数很少的与变换器输出线圈耦合的绕组,使之感应出一个反向低电压使MOS开关管内二极管断开,使原来流过这两个二极管的电流经由相应加上的两个超快恢复二极管流过,大大减小了这部分损耗。电路简单可行,成本低,效果明显。
搜索关键词: 一种 消除 mos 开关 二极管 损耗 简单 方法
【主权项】:
两个与半桥式变换器输出线圈耦合的圈数很少的绕组(可能少到一圈)分别串入变换器的两个MOS开关管的电流通路中(可从D极串入,也可从S极串入,本说明中采用了从D极串入的方法),绕组能感应出一个反向低电压使MOS开关管内二极管断开,使这部分电流从外电路流过。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海英孚特电子技术有限公司,未经上海英孚特电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110359892.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code