[发明专利]一种消除MOS开关管内二极管关断损耗的简单方法无效
申请号: | 201110359892.0 | 申请日: | 2011-11-14 |
公开(公告)号: | CN103107691A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 张兆良 | 申请(专利权)人: | 上海英孚特电子技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201107*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 在半桥式变换器电路中电感线圈中的电流有时会经MOS开关管内二极管维持流通。当此电流减为零,并即刻有高反向电压加上,而此刻二极管的反向恢复电流还未消失,就将产生不可忽略的损耗(MOS开关管内二极管的反向恢复时间一般为数百纳秒,反应不够快,达不到有些电路要求)。本发明通过在半桥式变换器两个MOS开关管电流通路中分别串入一个圈数很少的与变换器输出线圈耦合的绕组,使之感应出一个反向低电压使MOS开关管内二极管断开,使原来流过这两个二极管的电流经由相应加上的两个超快恢复二极管流过,大大减小了这部分损耗。电路简单可行,成本低,效果明显。 | ||
搜索关键词: | 一种 消除 mos 开关 二极管 损耗 简单 方法 | ||
【主权项】:
两个与半桥式变换器输出线圈耦合的圈数很少的绕组(可能少到一圈)分别串入变换器的两个MOS开关管的电流通路中(可从D极串入,也可从S极串入,本说明中采用了从D极串入的方法),绕组能感应出一个反向低电压使MOS开关管内二极管断开,使这部分电流从外电路流过。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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