[发明专利]一种去除深沟槽内氧化膜残留的方法无效
| 申请号： | 201110360072.3 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102412141A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除深沟槽内氧化膜残留的方法，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上刻蚀形成深沟槽；步骤2，在深沟槽内生长一层氧化膜；步骤3，利用HF和H2O的混合蒸汽去除深沟槽内的氧化膜。本发明可以彻底去除深沟槽内氧化膜，达到深沟槽内无氧化膜残留的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 深沟 氧化 残留 方法 | ||
【主权项】：
一种去除深沟槽内氧化膜残留的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上刻蚀形成深沟槽；步骤2，在深沟槽内生长一层氧化膜；步骤3，利用HF和H2O的混合蒸汽去除深沟槽内的氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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