[发明专利]一种ITO陶瓷靶制备方法无效
| 申请号： | 201110360722.4 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102491741A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 张天舒 | 申请（专利权）人： | 张天舒 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 合肥诚兴知识产权代理有限公司 34109 | 代理人： | 汤茂盛 |
| 地址： | 230022 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明的主要目的是提高一种ITO陶瓷靶制备方法。技术方案是：一种ITO陶瓷靶制备方法，其特征在于，包括操作：①以ITO粉为原料，与有机单体，胶联剂、有机分散剂和水制成悬浮液，并加入引发剂至所述悬浮液中反应得到混合浆料；②接着将所得的混合浆料注入模具中静置；③干燥脱模后在1200-1700℃下烧结该素坯，即得致密ITO陶瓷靶。本发明的处理方法存在的优点：可实现近净尺寸成型，制备出复杂形状的部件；坯体和烧结体性能均匀性好。ITO陶瓷靶产品晶粒大小分布均匀，约为3-5μm、高致密且烧结体密度为99.0％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ito 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ITO陶瓷靶制备方法，其特征在于，包括以下操作：①以ITO粉为原料，与有机单体，胶联剂、有机分散剂和水制成悬浮液，并加入引发剂至所述悬浮液中反应得到混合浆料；②接着将所得的混合浆料注入模具中静置；③干燥脱模后在1200‑1700℃下烧结该素坯，即得致密ITO陶瓷靶。
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