[发明专利]电化学和固体硫化法在基片上制备CuInS2的方法无效
| 申请号： | 201110362187.6 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102368512A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 于丹阳;汪振中;沙金 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C25C1/12;C25C1/22;C23C8/62 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用常规电化学方法:在Ni基片上先后生长成薄的铜层和铟层，然后加热150～320℃进行30～40min的合金化和固体硫化处理，最终得到CuInS2薄膜。通过用X射线衍射图谱和矿物（PDF）卡比较，有CulnS2薄膜呈黄铁矿结构相特征衍射峰。CuInS2薄膜组分的摩尔比即S/(Cu+In)为2～2.5。它为P型导电类型的深褐色的CuInS2薄膜。该方法操作简单，绿色环保，易于实现工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学 固体 硫化 基片上 制备 cuins sub 方法 | ||
【主权项】：
一种电化学和固体硫化法在基片上制备CuInS2薄膜的方法，其特征在于该方法具有以下的工艺过程和步骤：a．将纯度99.9～99.99 % 衬底Ni基片和99.999%Cu片放置到0.78～0.80M的CuSO4和0.046～0.048M H2SO4混合溶液中，使用YJ63直流稳压稳流电源通电流20～30mA ，经40～60秒，制备前期样片；b．将纯度99.9～99.99%In片和上述前期样片放置到0.086～0.088M的In2（SO4）3和0.030～0.032M 的Na2SO4混合溶液中，用电化学方法在15～35℃温度下，通电流10～20mA ，经60～80秒，制备得CuIn薄膜样片；c．将上述制备出的CuIn样片和99.5%的粉末S放入箱式电炉中，加热150～320℃，进行30～40min的合金化和固体硫化处理，最终在Ni基片制得CuInS2薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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