[发明专利]TFT阵列基板及显示设备无效
| 申请号： | 201110362219.2 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102629056A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 孙荣阁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/139;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT阵列基板，包括：形成在基板上的栅线和数据线；栅线和数据线交叉定义一个子像素单元，每个子像素单元包括薄膜晶体管器件、公共电极、第一像素电极层和第二像素电极层；第一像素电极层或第二像素电极层之一与公共电极连接，另一与薄膜晶体管的源极或漏极连接，第一像素电极层和第二像素电极层通过绝缘层隔开，第二像素电极层位于第一像素电极层的上方；第二像素电极层的条状像素电极的图形与第一像素电极层的图形上下重叠，条状像素电极与液晶初始取向具有倾斜角度，栅线或数据线与靠近自己的条状像素电极平行。本发明使得在像素边缘不会因为杂乱电场的影响而产生液晶取向紊乱现象。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 显示 设备 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板，包括：形成在基板上的栅线和数据线；栅线和数据线交叉定义的若干个子像素单元，每个所述子像素单元包括薄膜晶体管器件、公共电极、第一像素电极层和第二像素电极层；所述第一像素电极层和所述第二像素电极层之一与公共电极连接，另一像素电极层与薄膜晶体管的源极或漏极连接，第一像素电极层和第二像素电极层通过绝缘层隔开；第二像素电极层位于第一像素电极层的上方，第二像素电极层的条状像素电极的图形与第一像素电极层的图形上下重叠，其特征在于，所述条状像素电极与液晶初始取向具有倾斜角度，所述栅线或数据线与靠近自己的所述条状像素电极平行。
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