[发明专利]光学曝光方法及其用于制备硅材料竖直中空结构的方法有效
| 申请号： | 201110363182.5 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102495526A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 顾长志;田士兵;李俊杰;夏晓翔;杨海方 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;G03F7/30;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于形成微纳空穴结构的光学曝光方法，包括以下步骤：1)选取具有掩膜图形的掩膜板，所述掩膜图形为能通过光照产生泊松亮斑的几何实心图形或其阵列；2)将掩膜板设置于待曝光的正光刻胶的上方进行曝光，其中图形阴影部分后的泊松亮斑同样曝光；3)显影，在所述正光刻胶上得到具有与所述泊松亮斑相应的空穴的图形。通过该方法可以制备出长径比为可控的硅管状结构阵列，这种曝光技术不仅大大提高实验室光学掩膜曝光的极限尺寸，并突破了利用干涉曝光只能得到周期型线条和点阵的局限，大大节约了成本以及丰富了试验工艺。这种结构在光子晶体、滤波器件以及径向p-n结太阳能电池领域均有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 曝光 方法 及其 用于 制备 材料 竖直 中空 结构 | ||
【主权项】：
一种用于形成微纳空穴结构的光学曝光方法，包括以下步骤：1)选取具有掩膜图形的掩膜板，所述掩膜图形为能通过光照产生泊松亮斑的几何实心图形或其阵列；2)将掩膜板设置于待曝光的正光刻胶的上方进行曝光，其中图形阴影部分后的泊松亮斑同样曝光；3)显影，在所述正光刻胶上得到具有与所述泊松亮斑相应的空穴的图形。
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