[发明专利]首颗晶粒的自动定位方法有效
申请号: | 201110363327.1 | 申请日: | 2011-11-16 |
公开(公告)号: | CN103117207A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 蔡宜兴 | 申请(专利权)人: | 蔡宜兴 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/68 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种首颗晶粒的自动定位方法,其使用一移动式承载台、一影像撷取单元及一影像处理装置,所述移动式承载台自动步进移动一晶圆;所述影像撷取单元在所述晶圆上由一缺槽晶粒开始先沿X轴依序撷取预定格数的各晶粒影像,再沿Y轴依序撷取预定格数的各晶粒影像;所述影像处理装置则对各晶粒影像进行分析及座标定位,以便借此快速且准确地定位寻找出一首颗晶粒的正确位置,进而有利于提升定位首颗晶粒的准确性及加速定位作业。 | ||
搜索关键词: | 晶粒 自动 定位 方法 | ||
【主权项】:
一种首颗晶粒的自动定位方法,其特征在于:所述方法包含步骤:(S01)、将一晶圆固定在一移动式承载台上,其中所述晶圆包含数颗晶粒及数道切割沟槽,所述些晶粒的长宽尺寸小于10×10毫米,所述些晶粒中包含一缺槽晶粒d0;(S02)、使一影像撷取单元对位于所述晶圆的缺槽晶粒d0,利用所述影像撷取单元撷取所述缺槽晶粒d0的影像,及通过一影像处理装置进行影像分析并将所述缺槽晶粒d0的位置定义为座标位置(0,0);(S03)、使所述移动式承载台及晶圆相对所述影像撷取单元沿X轴步进位移一格晶粒的距离,利用所述影像撷取单元撷取邻接在所述缺槽晶粒d0内侧的下一晶粒d1的影像,及通过所述影像处理装置进行影像分析并将所述晶粒d1的座标位置定义为(1,0);(S04)、若沿X轴欲移动的晶粒总格数m等于1,则进行下一步骤(S05);若沿X轴欲移动的晶粒总格数m为2或以上的整数,则以相似步骤(S03)的方式沿X轴依序撷取数颗晶粒d2…dm的影像,以便将所述些晶粒d2…dm的座标位置分别定义为(2,0)…(m,0);(S05)、使所述移动式承载台及晶圆相对所述影像撷取单元沿Y轴步进位移一格晶粒的距离,利用所述影像撷取单元撷取邻接在所述晶粒dm旁侧的另一晶粒dm+1的影像,及通过所述影像处理装置进行影像分析并将所述晶粒dm+1的座标位置定义为(m,1);(S06)、若沿Y轴欲移动的晶粒总格数n等于1,则进行下一步骤(S07);若沿Y轴欲移动的晶粒总格数n为2或以上的整数,则以相似步骤(S05)的方式沿Y轴依序撷取数颗晶粒dm+2…dm+n的影像,以便将所述些晶粒dm+2…dm+n的座标位置分别定义为(m,2)…(m,n);以及(S07)、将座标位置为(m,n)的所述晶粒dm+n定义为一首颗晶粒,并在所述首颗晶粒旁侧的二颗无效晶粒上分别标示一辅助定位记号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蔡宜兴,未经蔡宜兴许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110363327.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造