[发明专利]一种镓填充的二氧化硅纳米管阵列的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201110363602.X | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102515841A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 高义华;孙敏;苏俊 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镓填充的二氧化硅纳米管阵列的制备方法，包括(1)准备洗净干燥的硅片；(2)准备一定比例的氧化镓和一氧化硅粉末置于石墨坩埚中；(3)将石墨坩埚放入射频感应炉或水平炉中，将硅片放入石墨坩埚正上方的石墨罩上，或水平炉的下源；(4)加热石墨坩埚，升温至1300～1500℃；(5)保持通气状态下降温，直至冷却至室温；(6)取出硅片，即形成镓填充的二氧化硅纳米管阵列。本发明还公开了上述制备方法制备的二氧化硅纳米管阵列以及上述二氧化硅纳米管阵列作为纳米温度计的制作材料的应用。本发明的纳米温度计可以在高集成电路和激光光斑的温度测控中发挥作用，以此提高微器件工作的稳定性和安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 填充 二氧化硅 纳米 阵列 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种镓填充的二氧化硅纳米管阵列的制备方法，包括如下步骤：(1)准备洗净干燥的硅片；(2)准备一定比例的氧化镓和一氧化硅粉末，研磨均匀后置于石墨坩埚中；(3)将石墨坩埚放入射频感应炉或水平炉中，然后将硅片放入石墨坩埚正上方的石墨罩上，或放入水平炉的下源；(4)加热石墨坩埚，升温至1300～1500℃，并保持一定时间；(5)保持通气状态下降温，直至冷却至室温；(6)取出硅片，其表面变成了均匀长有灰白色样品的区域，即形成镓填充的二氧化硅纳米管阵列。
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