[发明专利]一种LED发光结构有效
| 申请号： | 201110364855.9 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN103117342A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 方方 | 申请（专利权）人： | 广东量晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 苗青盛;王凤华 |
| 地址： | 528251 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED发光结构，包括：用于注入空穴的p型掺杂区域；位于底部、用于注入电子的n型掺杂区域；位于所述n型掺杂区域上的发光有源区，其特征在于，所述发光有源区包括：至少一个第一类量子阱的InGaN阱层和InAlGaN垒层，至少一个第二类量子阱的InGaN阱层和InAlGaN垒层，和至少一个第三类量子阱的InGaN阱层和垒层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 发光 结构 | ||
【主权项】：
一种LED发光结构，包括：用于提供空穴的p型掺杂区域；位于底部、用于提供电子的n型掺杂区域；位于所述n型掺杂区域和p型掺杂区域之间的发光有源区，其特征在于，所述发光有源区包括：至少一个第一类量子阱的InGaN阱层和InAlGaN垒层，至少一个第二类量子阱的InGaN阱层和InAlGaN垒层，和至少一个第三类量子阱的InGaN阱层和InmGaN垒层，m为0或者1。
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