[发明专利]一种通过表面改性自分离制备氮化镓单晶衬底的方法无效
| 申请号： | 201110364903.4 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN103114332A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 吴洁君;张国义;罗伟科;于彤军;康香宁;杨志坚 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过表面改性自分离制备氮化镓单晶衬底的方法，属于光电技术领域。该方法利用衬底表面改性技术和应力控制的方法，使GaN单晶和异质衬底之间形成弱连接，使GaN厚膜在降温过程中从界面处自动分离，同时保证异质衬底表面完好，可重复利用。本发明适合于产业化的大批量生产GaN单晶衬底，可以获得能够满足光电子和微电子器件要求的高光学和电学性能的厚度为0.1-0.5mm的可用于同质外延的2英寸GaN衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 表面 改性 分离 制备 氮化 镓单晶 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN单晶衬底的制备方法，具体包括以下步骤：1)对c面蓝宝石衬底的表面进行表面改性；2)将表面改性的蓝宝石衬底放入MOCVD中，利用两步法生长GaN单晶薄膜，GaN单晶薄膜厚度小于10um；3)将GaN/蓝宝石衬底放置于HVPE中进行GaN单晶厚膜的生长，控制GaN单晶厚膜生长到蓝宝石衬底厚度的0.2‑1.5倍，使GaN厚膜中内应力达到最大，然后停止生长，开始降温，温度递度范围为10‑200℃/min，径向温度分布控制为0.01‑50℃/mm。
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