[发明专利]导电插塞及形成方法有效
| 申请号： | 201110366073.9 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN103117266A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种导电插塞，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的栅极结构，贯穿所述栅极结构且与半导体衬底平行的若干纳米线有源区，位于所述半导体衬底表面且覆盖栅极结构和纳米线有源区的介质层，所述介质层填充满纳米线有源区之间的间隔空间；位于所述栅极结构两侧的凹槽，所述凹槽的侧壁具有倾斜角度，且所述凹槽使所述纳米线有源区具有刻蚀断面；填充满所述凹槽的介质材料；位于所述介质材料内的导电插塞，各导电插塞与对应的纳米线有源区相连。由于不同高度的所述纳米线有源区的刻蚀断面呈阶梯状排列，每根纳米线有源区两端与金属互连层之间都有导电插塞电学连接，可以对每根纳米线有源区两端的电压、电流进行控制，有利于提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种导电插塞，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的栅极结构，贯穿所述栅极结构且与半导体衬底平行的若干纳米线有源区，位于所述半导体衬底表面且覆盖栅极结构和纳米线有源区的介质层，所述介质层填充满纳米线有源区之间的间隔空间；位于所述栅极结构两侧的凹槽，所述凹槽的侧壁具有倾斜角度，且所述凹槽使所述纳米线有源区具有刻蚀断面；填充满所述凹槽的介质材料；位于所述介质材料内的导电插塞，各导电插塞与对应的纳米线有源区相连。
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