[发明专利]提高浮体效应存储单元写入速度的方法及存储单元

摘要

本发明提出一种能够提高浮体效应存储单元写入速度的制造方法及该浮体效应存储单元，属于半导体制造技术领域。本发明的核心为：在靠近源极的侧墙材料上形成掩膜层，靠近漏极的侧墙材料被暴露；对暴露的侧墙材料进行部分厚度的刻蚀；去除掩膜层，对侧墙材料进行再次刻蚀，在栅极两侧形成侧墙，且靠近源极的侧墙的宽度大于靠近漏极的侧墙的宽度；以侧墙为掩模，进行重掺杂以及退火工艺，形成源极以及漏极，且漏极的掺杂离子离沟道距离被拉近，源极的掺杂离子与沟道和衬底的距离被拉远。本发明一方面提高了漏极沟道中的纵向电场，增大了衬底电流，另一方面降低了积聚载流子从源极的泄漏速度，从而提高了浮体效应存储单元的写入速度。

主权项

一种提高浮体效应存储单元写入速度的制造方法，包括以下步骤：步骤一：提供底层硅，所述底层硅上形成有埋氧层，所述埋氧层上形成有衬底，所述衬底上依次形成有栅氧化层以及栅极，所述栅极下方的衬底中形成沟道，所述栅极与栅氧化层表面以及衬底表面沉积有侧墙材料；在栅极的靠近源极位置一侧的侧墙材料上形成掩膜层，并且栅极的靠近漏极位置一侧的侧墙材料被暴露；对暴露的侧墙材料进行部分厚度的刻蚀；步骤二：去除掩膜层，对侧墙材料进行再次刻蚀，在栅极与栅氧化层两侧形成侧墙，且靠近源极位置的侧墙的宽度大于靠近漏极位置的侧墙的宽度；步骤三：以所述侧墙为掩模，进行重掺杂以及退火工艺，在栅极两侧的衬底中形成源极以及漏极。