[发明专利]一种自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法无效
| 申请号： | 201110366258.X | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102394219A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法，包括下列步骤：提供包括栅极结构和源漏极结构的半导体基底；在所述半导体基底上沉积SAB薄膜；利用紫外光对所述SAB薄膜进行处理；对所述SAB薄膜进行高温退火处理；对所述SAB薄膜进行光照显影和湿法蚀刻处理；在所述半导体基底上形成自对准硅化物层。本发明提出的自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法，能够对SAB薄膜进行致密化处理，使得有源区中注入的杂质离子在SAB高温退火处理的过程中不容易扩散出来，从而减小其对器件性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 硅化物 区域 阻挡 sab 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法，其特征在于，包括下列步骤：提供包括栅极结构和源漏极结构的半导体基底；在所述半导体基底上沉积SAB薄膜；利用紫外光对所述SAB薄膜进行处理；对所述SAB薄膜进行高温退火处理；对所述SAB薄膜进行光照显影和湿法蚀刻处理；在所述半导体基底上形成自对准硅化物层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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