[发明专利]一种以H3PO4腐蚀衬底制备自剥离GaN单晶的方法无效
| 申请号： | 201110366341.7 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102418143A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 郝霄鹏;邵永亮;张雷;吴拥中;张浩东 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C23C16/01;C30B29/40 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 宁钦亮 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种以H3PO4腐蚀衬底制备自剥离GaN单晶的方法，包括以下步骤：(1)利用金属有机化学气相沉积的方法在蓝宝石衬底上外延生长2μm-10μm厚的GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)将GaN外延片浸入温度为220-280℃、浓度为70％-90％的H3PO4溶液中腐蚀3分钟-30分钟；(3)把腐蚀后的GaN外延片从H3PO4溶液中迅速取出放入冷水中以停止腐蚀；(4)将腐蚀后的GaN外延片清洗、吹干后，放入氢化物气相外延生长系统中外延生长GaN单晶，(5)外延生长GaN单晶结束后经过氢化物气相外延生长系统的降温过程，GaN单晶实现从蓝宝石衬底上自剥离，得到自支撑GaN单晶。本发明具有成本低、简单易行的特点，适合于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sub po 腐蚀 衬底 制备 剥离 gan 方法 | ||
【主权项】：
一种以H3PO4腐蚀衬底制备自剥离GaN单晶的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)利用金属有机化学气相沉积的方法在蓝宝石衬底上外延生长2μm‑10μm厚的GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)将GaN外延片浸入温度为220‑280℃、浓度为70％‑90％的H3PO4溶液中腐蚀3分钟‑30分钟；(3)把腐蚀后的GaN外延片从H3PO4溶液中迅速取出放入冷水中以停止腐蚀；(4)将腐蚀后的GaN外延片清洗、吹干后，放入氢化物气相外延生长系统中外延生长GaN单晶；(5)外延生长GaN单晶结束后经过氢化物气相外延生长系统的降温过程，GaN单晶实现从蓝宝石衬底上自剥离，得到自支撑GaN单晶。
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