[发明专利]H掺FZO透明导电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110366711.7 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102426876A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍 | 申请（专利权）人： | 安徽康蓝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;C23C14/08;C23C14/40 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 方峥 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种H掺FZO透明导电薄膜及其制备方法，在衬底上生长一层H掺FZO薄膜层。其制备是采用射频磁控溅射法。本发明方法所用设备简单，可控性强，制备出来的薄膜光学性能和电学性能优良，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | fzo 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
H掺FZO透明导电薄膜，其特征在于：具有一衬底，衬底上具有一层H掺FZO薄膜层。
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