[发明专利]一种二硼化镁超导材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110366943.2 申请日: 2011-11-18
公开(公告)号: CN102515189A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 马衍伟;王成铎;王栋樑;高召顺;张现平;姚超;王春雷 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: C01B35/04 分类号: C01B35/04;C04B35/58;C04B35/622
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 关玲
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种二硼化镁超导材料的制备方法,将B粉(纯度为90~99.99wt%)和Mg粉加入密度大于5g/cm3的磨球和球磨罐,在氩气气氛下进行球磨处理。或在B粉、Mg粉中加入如纳米C、纳米SiC、碳氢化合物、碳水化合物掺杂体。还可以将B粉加入密度大于5g/cm3的磨球和球磨罐在氩气气氛下进行预球磨处理,然后将预处理的B粉和Mg粉一起加入密度大于5g/cm3的磨球和球磨罐在氩气气氛下进行球磨处理。球磨时间为1~150h,转速为100~1000r/min,球料比为1∶1~100∶1。将经球磨的粉末压片,得到块材,或将粉末装入金属管中,经过塑性加工得到线材或带材,然后将得到的块材、线材或带材在流动氩气气氛中烧结,最终制得MgB2超导材料。
搜索关键词: 一种 二硼化镁 超导 材料 制备 方法
【主权项】:
一种二硼化镁超导材料的制备方法,其特征在于所述的制备方法包括下述步骤:(1)按照摩尔比Mg∶B=1∶2称量Mg粉和B粉,所述的B粉纯度范围为90~99.99wt%,将上述Mg粉和B粉放入球磨罐中并密封,磨球直径为3~10mm,球料比为1∶1~100∶1,以上操作在通有氩气的手套箱中完成;然后在100~1000r/min的转速下球磨1~150h,得到MgB2的先驱粉;(2)将步骤(1)制得的粉末压片,得到块材;或将步骤(1)制得的粉末装入金属管中,密封后经旋锻、拉拔或轧制加工成线材或带材;(3)将步骤(2)得到块材、线材或带材在氩气气氛中烧结,烧结温度为600~1000℃,保温0.5‑5h,便得到具有高临界电流密度的二硼化镁超导材料。
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