[发明专利]一种基于MOS管的高重频、低功耗双开关栅控行波管调制器的实现方法有效
| 申请号： | 201110367107.6 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102568983A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 崔海安;杨钰辉 | 申请（专利权）人： | 中国船舶重工集团公司第七二四研究所 |
| 主分类号： | H01J23/00 | 分类号： | H01J23/00;H01J25/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于MOS管的高重频、低功耗双开关栅控行波管调制器的实现方法，在传统的双开关栅控调制器电路中，利用高频开关特性好的高反压MOS管作为开关器件，使得调制器在窄脉冲输出时有较好的脉冲前沿；改变了传统的通过“起始”、“截尾”开关管短时间直通形成“对拉”状态以减少栅调脉冲后沿时间的方式，极大地降低了调制器开关管上的损耗，使其在极高的重复频率下能稳定、可靠工作；单只高反压MOS管基本适应耐压要求，省去均压电路和隔离驱动电路使电路简化；设置了保护行波管电路，防止在“起始”开关管击穿时，正偏压一直加在行波管栅极上。本发明为实现高性能、低功耗的栅控调制器，研制高重频栅控行波管发射机提供了有效的技术途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mos 高重频 功耗 双开 关栅控 行波 调制器 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种基于MOS管的高重频、低功耗双开关栅控行波管调制器的实现方法，其特征在于：采用高反压MOS管作为开关器件，提高开关速度，简化电路；通过改进“起始”、“截尾”管的连接形式，使调制器不存直通损耗。
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