[发明专利]图形化衬底工艺用步进光刻掩膜版数据拼接方法和修正法有效
申请号: | 201110367148.5 | 申请日: | 2011-11-18 |
公开(公告)号: | CN102520576A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 叶红;王玉林;袁卓颖;毛臻琪;王刚明 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明是图形化衬底制造工艺用步进光刻掩膜版的数据拼接方法及修正方法,包括如下工艺:确定光刻掩膜版上小圆的尺寸和间隔尺寸;确定小圆正三角形排列之正三角形边长,设边长为a;作出以1/2a为内切圆半径的正六边形,并将该正六边形外扩;在该正六边形内作需要的小圆,并将二者做逻辑减法运算;按正三角形排列方式,在坐标X方向移动1/2a,Y方向移动a*sin600,形成双正六边形组图,重复分布上述双正六边形组图,步进为:a,2a*sin600,得到需要的窗口图形如摘要附图;将以上得到的窗口图形进行居中处理;加上相应型号的步进光刻机的套刻标志。优点:重复分布后得到的曝光窗口界面为规则的齿轮状或锯齿状,从而有效避免了在圆上的拼接方式,极大地改善了光学边缘效应,同时降低了光刻版制造的精度要求。 | ||
搜索关键词: | 图形 衬底 工艺 步进 光刻 掩膜版 数据 拼接 方法 修正 | ||
【主权项】:
图形化衬底制造工艺用步进光刻掩膜版的数据拼接方法及修正方法,该方法包括如下工艺:一、确定光刻掩膜版上小圆的尺寸和间隔尺寸;确定小圆正三角形排列之正三角形边长,设边长为a;二、作出以1/2a为内切圆半径的正六边形,并将该正六边形外扩,如外扩0.4微米;在该正六边形内作需要的小圆,并将二者做逻辑减法运算;三、按正三角形排列方式,在坐标X方向移动1/2a,Y方向移动a * sin600,形成双正六边形组图,即单胞图形,重复分布上述双正六边形组图,步进为:a,2a *sin600,得到需要的窗口图形;四、将以上得到的窗口图形进行居中处理;五、加上相应型号的步进光刻机的套刻标志。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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